-
© cdn.10nauki.ruУченые РТУ МИРЭА разработали конструкцию полевого транзистора на основе алмаза, изобретатели уверены, что он превзойдет аналоги на основе традиционных полупроводников по важнейшим параметрам и производительности. Проект реализовали на базе передовой инженерной школы СВЧ-электроники РТУ МИРЭА, сообщила пресс-служба университета.
-
В Подмосковье запущено крупное производство, на котором будут ежегодно выпускать 200 млн чипов, 110 млн диодов, транзисторов и микросхем. Эта продукция предназначена для гражданской авиационной техники, телекоммуникационного оборудования и автомобильной электроники. Новый производственный корпус открыт на заводе «Арсенал», который входит в структуру группы компаний «Промтех». Интеллектуальные и производственные мощности предприятия позволяют выпускать высокотехнологичную продукцию взамен зарубежным аналогам.
-
Воронежский НИИ электронной техники сегодня по праву занимает одно из лидирующих мест среди отечественных разработчиков и производителей LDMOS-транзисторов.
В мае этого года институт завершил испытания новейших мощных СВЧ LDMOS-транзисторов КП9171А и КП9171БС, в настоящее время продолжают приниматься заявки от предприятий, заинтересованных в данной продукции.
Изделия полностью соответствуют требованиям технического задания и не уступают аналогам по эксплуатационным параметрам.
-
© tehnoomsk.ruВ «НИИ электронной техники» (АО «НИИЭТ», Воронеж) в 2023 году разработаны два новых отечественных СВЧ-транзистора по технологии LDMOS (Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor). Первый из них имеет обозначение КП9171А и уже тестируется в радиоэлектронном оборудовании, второй — КП9171БС. Оба транзистора предназначены для российской телевизионной аппаратуры стандартов цифрового вещания DVB-T/DVB-T2. Новые транзисторы по LDMOS-технологии обладают необходимыми характеристиками: так, КП9171А имеет коэффициент усиления по мощности — не менее 20 дБ, коэффициент полезного действия стока — не менее 45%, коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка — не более -30 дБ при выходной мощности в пике огибающей 140 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 860 МГц.
-
© niiet.ru07.04.2023
Воронежский НИИ электронной техники сообщает о начале приема заказов на серийно выпускаемые силовые транзисторы серии ТНГ-К на основе нитрида галлия в металлокерамических и пластиковых корпусах.
Нитрид-галлиевая технология — одно из наиболее перспективных и быстроразвивающихся направлений в силовой и СВЧ-электронике в мире. Причина этого заложена в свойствах нитрида галлия, значительно превосходящего традиционный для полупроводниковой промышленности кремний по ряду ключевых параметров, таких как ширина запрещенной зоны, критическая напряженность поля и дрейфовая скорость насыщения электронов. Благодаря этому GaN-транзисторы могут работать при более высоких температурах, на более высоких частотах, с большей плотностью мощности и энергоэффективностью, чем кремниевые.
-
АО «Протон-Электротекс» (г. Орел) дополнительно инвестирует порядка 300 млн рублей в разработку и производство импортозамещающих силовых полупроводниковых IGBT-модулей, широко используемых в преобразовательной технике.
«К настоящему моменту компания инвестировала в направление данных IGBT-модулей порядка 250 млн рублей и до 2022 года планирует вложить еще около 300 млн рублей», — сообщили в компании.
С 2014 года предприятие проводит научно- исследовательские и опытно-конструкторские работы по новой продукции — IGBT-модули. К настоящему моменту подготовлено современное производство и с 2016 года начат серийный выпуск нескольких линеек IGBT-модулей. Также, в разработке находятся еще четыре типа продукции и составлена дорожная карта по разработке и освоению производства новых модулей до 2022 года.
IGBT модули является «сердцем» любого современного мощного преобразователя энергии, которые применяются во многих отраслях промышленности, а именно в электроприводе, карьерной спецтехнике, электротранспорте, традиционной и «зеленой» энергетике.
«Все указанные отрасли в мире растут опережающими темпами. Однако, в настоящее время рынок РФ более чем на 95% насыщен IGBT модулями иностранного производства», — пояснили на предприятии.
-
-
Объединенная приборостроительная корпорация завершает испытания мощных электронных СВЧ-компонентов, которые заменят иностранные комплектующие в авиационном, космическом и военном оборудовании.
Сверхвысокочастотные транзисторы выполнены по современной нитрид-галлиевой технологии (GaN). Они обеспечивают высокую мощность, стойкость аппаратуры к космической радиации и другим внешним воздействиям, стабильную работу при температурах от -60 до +125 °С.
Кроме того, применение таких транзисторов в СВЧ-аппаратуре военного и двойного назначения позволяет заметно уменьшить массогабаритные характеристики изделий.
-
-
Специалисты ОАО «Ангстрем» по заказу ОАО «Российские космические системы» (Роскосмос) разработали два типа транзисторов, стойких к факторам космического пространства.
Подобные изделия, стойкие к тяжелым заряженным частицам (ТЗЧ), выпускает всего одна компания в мире, однако их поставки в Россию в последнее время значительно ограничены.
-
-
Российские учёные предложили новый тип транзистора на основе двухслойного графена и с помощью моделирования доказали, что он обладает рекордно низким энергопотреблением по сравнению с существующими аналогами.
В исследованиях принимали участие специалисты Московского физико-технического института (МФТИ) и Физико-технологического института РАН, а также их коллеги из университета Тохоку (Япония). Результаты работы приведены в журнале Scientific Reports.
-
-
Российские ученые вместе с коллегами из Японии разработали транзисторы на основе двухслойного графена и показали, что те обладают рекордно низким энергопотреблением. Тактовая частота процессоров на основе таких транзисторов может увеличиться на два порядка, сообщает пресс-служба МФТИ.
Создание транзисторов, способных переключаться при малых напряжениях (менее 0,5 вольт), является одной из главных задач современной электроники. Наиболее перспективными кандидатами для ее решения часто считают туннельные транзисторы, но в большинстве полупроводников туннельный ток так мал, что не позволяет использовать транзисторы на их основе в реальных схемах. Авторы исследования показали, что эти ограничения можно обойти в новых туннельных транзисторах на основе двухслойного графена.
«При оптимальных условиях графеновый транзистор может менять силу тока в цепи в 35 тысяч раз при колебании напряжения на затворе всего в 150 милливольт», — говорится в пресс-релизе. «Такое маленькое рабочее напряжение означает не только то, что мы можем сэкономить электричество — электроэнергии у нас хватает, — приводятся в пресс-релизе слова ведущего автора исследования, заведующего лабораторией оптоэлектроники двумерных материалов МФТИ Дмитрия Свинцова. — При меньшем энергопотреблении электронные компоненты меньше нагреваются, а, значит, могут работать с более высокой тактовой частотой — не 1 ГГц, а, например, 10 или даже 100».
-
-
Специалисты ОПК создали один из самых мощных на отечественном рынке СВЧ-транзисторов. Изделие выполнено по LDMOS-технологии и обладает выходной мощностью, в несколько раз превосходящей аналоги, говорится в пресс-сообщении корпорации. На сегодняшний день это одна из ключевых технологий на рынке высокочастотных устройств.
«Увеличенная мощность СВЧ-транзистора, разработанного нашим Научно-исследовательским институтом электронной техники, позволит существенно повысить дальность действия РЛС», — заместитель гендиректора ОПК Андрей Чендаров.
По его словам, разработка по своим характеристикам не уступает мировым аналогам и призвана заменить транзисторы прошлого поколения в военной аппаратуре и на гражданском рынке.
Кроме того, СВЧ-транзистор имеет большой потенциал в медицине и может применяться как элемент аппаратуры микроволновой терапии.
-
Четвёртый квартал 2015 года. Крупнейший в СНГ завод производства микроэлектроники.
-
-
Разработан метод получения тонкопленочных структур сегнетоэлектрик/металл на основе сверхтонкого титаната бария. Результаты исследования их свойств показали, что подобные структуры представляются весьма перспективными для создания устройств энергонезависимой памяти. Растущие потребности в быстродействии, емкости, энергоэффективности энергонезависимой памяти в электронике и мобильных устройствах диктуют поиск новых физических механизмов записи и хранения информации.
-
-
Старая новость, но я не нашел её на сайте и решил добавить.
Сотрудники Физического института им. П.Н. Лебедева РАН (ФИАН) разработали методику получения в алмазе тончайших графитизированных слоев. Уникальные свойства этих слоев в совокупности с разработанной технологией фотолитографии по алмазу открывают перед алмаз-графитовыми структурами большие перспективы по созданию на их основе различных элементов электроники и оптоэлектроники.
Часть планарной линейки, предназначенной для детектирования УФ и рентгеновского излучения. Основу электродов линейки составляет тонкий графитизированный слой, расположенный в алмазе на глубине 0,5 мкм (он проявляется зеленым интерференционным цветом), выводы от электродов также сделаны графитизированными до поверхности (покрыты золотыми контактами). -
Источник фото:
ТУСУР
ТОМСК, 17 ноя – Ученые Томского университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) разработали первый в мире нанотранзистор, применяемый в СВЧ-электронике, при производстве которого используются не драгоценные металлы, а соединение меди с германием, что значительно снижает себестоимость устройства, сообщил в четверг РИА Новости аспирант вуза ЕвгенийПЛЛ офеев
«В настоящее время транзисторы выпускаются с металлизацией на основе драгметаллов, а мы предлагаем использовать соединения меди с германием, которое получается оригинальным способом. В этом и новизна. Мы подали заявку на изобретение, получили положительное решение, была экспертиза, которая подтвердила, что мировых аналогов нашего нанотранзистора нет», – сказалПЛЛ офеев.
Он уточнил, что проект реализуется в научно-образовательном центре ТУСУР «Нанотехнологии». Ученый пояснил, что в настоящее время в производстве арсенид-галлиевых монолитных интегральных схем и транзисторов, на базе которых они создаются, используются платина, палладий, золото. Отказ от драгоценных металлов не только снизит себестоимость производства транзисторов, но и повысит их технические характеристики.
