© наука.рф

Научная группа Алферовского университета совместно с АО «ОКБ-Планета» и ООО «Иоффе-ЛЕД» разработала и запатентовала первые в России фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона с расширенной чувствительностью до 2,65 микрон. Это почти вдвое превышает возможности существующих отечественных аналогов.

Новая технология основана на оптимизированном составе полупроводникового материала — арсенида индия-галлия (InGaAs). Увеличение доли индия в кристаллах позволило значительно расширить рабочий диапазон устройств. Ключевой проблемой при создании таких структур была высокая плотность дефектов, которую удалось решить с помощью уникального оборудования для выращивания полупроводников.

0 читать дальше