Специалисты холдинга «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех разработали твердотельный усилитель мощности 8-мм диапазона длин волн на основе GaN (нитрид галлия) интегральных схем с выходной мощностью более 800 Вт. Разработка, осуществленная томским АО «НИИ полупроводниковых приборов», уникальна для российского рынка и относится к самым передовым научно-техническим решениям в мире.

В настоящее время опытные образцы усилителей, которые применяются в радиолокационном оборудовании, отгружены потребителям для проведения испытаний в составе аппаратуры. В I квартале 2017 года предприятие планирует начать серийное производство. Подтвержденная на сегодня потребность в этих изделиях со стороны потенциальных заказчиков превышает 1 млрд.руб. в год. В целях обеспечения выпуска твердотельных усилителей, СВЧ-модулей и приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток НИИ полупроводниковых приборов проводит модернизацию производства.

читать полностью