стань автором. присоединяйся к сообществу!
Добавить новость можно всем, без премодерации, только регистрация
Лого Сделано у нас
crazykot 06 марта 2013, 20:39 25 Производство

Разработана радиационно-стойкая микросхема памяти 1657РУ1У

ОАО НПЦ «ЭЛВИС» сообщает о начале серийных поставок радиационно-стойких микросхем памяти 1657РУ1У.

Микросхема 1657РУ1У представляет собой статическое асинхронное КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 4 Мбит с организацией 512Кх8, стойкое к воздействию специальных факторов и предназначенное для использования в большинстве радиационно-стойких приложений.

Косвенными аналогами 1657РУ1У являются микросхемы UT8R512K8 (Aeroflex), AT60142E (Atmel), HX6408 (Honeywell) и AS5C512K8 (Austin Semiconductor).

читать полностью
Источник: multicore.ru
элвис, микроэлектроника, микросхема
все комментарии
  • 0
    Нет аватара guest
    06.03.1323:09:52
    Уже посмотрел, 1 Мбит = 0,125 МБайта, получается что модуль будет 4*0,125 = 0,5 Мегабайта и если учесть что таких чипов в плашке может быть штук 16, 0,5*16=8 Мегабайт, не густо конечно, там ещё наверно и частота мегагерц 100, но для многих задач хватит, уж точно хватит для управляющего компьютера. Буран вообще чуть ли не на лампах летал в автоматическом режиме.
    #297816 ↑
    • 0
      Нет аватара guest
      06.03.1323:27:52
      Там 40 МГц частота.
      #297830 ↑
      • 0
        Нет аватара guest
        06.03.1323:31:31
        Технология изготовления: 0,25-мкм Большая. Интересно почему не на базе 0.90 нм, которые в России уже умеют делать?
        Отредактировано: Денис Демидович~23:31 06.03.13
        #297832 ↑
        • 0
          ivankun ivankun
          07.03.1300:02:24
          Чем меньше транзистор, тем сильнее заряженная частица воздействует на pn переход.
          #297855 ↑
          • 0
            Нет аватара guest
            07.03.1310:21:06
            И тем меньше площадь кристалла и вероятность попадания в него частицы.
            #298024 ↑
            • 0
              ivankun ivankun
              07.03.1310:52:38
              А какая разница, в какой транзистор попадет частица - в конкретно этот или соседний, если речь идет о площади транзистора? А если речь идет о всем кристалле, то частиц столько, что-нибудь все-равно попадет, ну пускай даже в 2 раза реже, но попадет. Так что тут единственный выход - повышать отказоустойчивость каждого транзистора.
              #298052 ↑
    • 0
      Нет аватара topaz1977
      07.03.1312:36:53
      БИУС К-50 200 килобайт занимает. Это вам не виндоцы
      #298140 ↑
Для комментирования вам необходимо зарегистрироваться и войти на сайт,