GaN-транзисторы АО «НИИЭТ» успешно прошли испытания
© niiet.ru
GaN-транзисторы ТНГ-К 65020П, разработанные АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент»), подтвердили свою эффективность в силовой преобразовательной технике. Испытания, проведенные компанией «Инженерные решения» и Новосибирским государственным техническим университетом, показали, что изделия могут использоваться в источниках питания с высокой удельной мощностью и частотой до 10 МГц.
Источник: niiet.ru
Другие публикации по теме
Новый функционал стенда для испытаний на сохранение работоспособности ЭКБ «СИТ»
В 2021 году АО «НИИЭТ» разработал и ввел в ...ектротренировки и испытаний транзисторов под шифром «СИТ».
Линейка DMR радиостанций «Росэлектроники» получила статус ТОРП
Вся линейка гражданских DMR радиостанций холдинга «Росэлектроника&raq...ия микросхем, разработанных и изготовленных на территории России.
Микросхемы АО «НИИЭТ» применили в отечественных устройствах для электротранспорта
Микроконтроллеры разработки воронежского Научно-исследовательского институт...таким устройством стал тяговый инвертор, построенный на ИМС 1921ВК035.
Поделись позитивом в своих соцсетях
11.07.2513:05:50
14.07.2500:26:46