«Ангстрем-Т» освоил Trench MOSFET технологию производства силовых транзисторов
Следи за успехами России в Телеграм @sdelanounas_ru-
- АО «Ангстрем-Т»
- © www.angstrem-t.com
Trench технология позволяет значительно (в 2 … 3 раза) по сравнению с планарной уменьшить сопротивление открытого канала транзистора при более высоких динамических характеристиках, меньшей мощности управления и при высокой устойчивости к лавинному пробою.
Более низкое сопротивление в открытом состоянии позволяет снизить тепловое рассеивание на канале. При этом ячейка имеет меньший в плане размер для обеспечения протекания через канал сопоставимого по значению тока за счет того, что затвор формируется не в плоскости, как в планарных MOSFET, а в объеме — по стенкам V-образной канавки (trench в переводе канава, впрочем можно и как окоп перевести :) ) в подложке.
Это позволяет создавать более энергоэффективную и компактную элементную базу для создания блоков питания и управления электроприборами. В целом класс Trench MOSFET предназначен коммутации высоких токов при низком напряжении.
В данный момент Ангстрем-Т является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа.
Поделись позитивом в своих соцсетях
Другие публикации по теме
В ОЭЗ «Орёл» открылся завод по производству телематического оборудования
Новый завод ООО «Три Точки Мануфактуринг» по производ...тавил 162 млн рублей. Сейчас на предприятии трудится около 60 рабочих.
«Росэлектроника»: образцы перспективной электронно-компонентной базы
Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех представляет на&n...представлена серийная гражданская продукция, созданная для массового рынка.
Инженеры из Уфы создали первый российский VR-шлем
Инженеры из Уфы создали первый российский VR-шлем. Это большой шаг впе...ит применение на крупных предприятиях России для обучения сотрудников.
Вступай в наши группы и добавляй нас в друзья :)
Следи за успехами России в Телеграм @sdelanounas_ru