Компания «Крокус Наноэлектроника» — совместное предприятие «Роснано» и Crocus Technology — запустила первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти (MRAM). Завод станет первым в мире производством MRAM с проектными нормами 90 нанометров. На 200- и 300-миллиметровые пластины, произведенные по технологии КМОП (комплементарный металлооксидный полупроводник), на заводе наносятся дополнительные слои для создания ячеек памяти MRAM.

К концу 2014 г. производительность составит 500 пластин в неделю. Планируется создание 100 новых рабочих мест.

Общий объем инвестиций в проект превышает 10 млрд рублей, включая софинансирование «Роснано» в размере 4.4 млрд рублей.

Продукция проекта, основанная на MRAM и уникальной технологии MLU (Magnetic-Logic-Unit — магнитная логическая ячейка), разработанной Crocus Technology совместно с IBM, может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия (near-field communications — NFC) и защищенной памяти.

Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 г. превысит 8 млрд долларов.

Строительство производства компании «Крокус Наноэлектроника» на территории Технополиса «Москва» — один из примеров сотрудничества РОСНАНО и правительства Москвы, которое развивает на территории бывшего АЗЛК уникальную площадку для высокотехнологичных компаний. «Крокус Наноэлектроника» стал первым резидентом будущего микроэлектронного кластера.

Микросхемы MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, то есть возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания. Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость считывания и записи информации и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.

Создание миниатюрных чипов MRAM во многом стало возможным благодаря открытию в 1988 г. эффекта гигантского магнитосопротивления, за которое в 2007 г. физикам Альберту Феру и Петеру Грюнбергу была присуждена Нобелевская премия. В середине 1990-х гг. сразу несколько компаний начали интенсивные разработки MRAM, среди которых преуспела компания Motorola, выпустившая в 2005 году первый чип емкостью 1 Мбит, созданный по нормам 180 нанометров. Однако только Crocus Technology на текущий момент удалось создать действующий 130-нанометровый чип и продемонстрировать возможность производства 90-нанометровой магниторезистивной памяти по технологии термического переключения.

Технология термического переключения (Thermally Assisted Switching — TAS™) — разработанная Crocus Technology и защищенная патентами технология, в которой запись производится при нагревании ячейки памяти.

Что помешало «Крокусу» запустить это производство в Зеленограде, что получила от нового производства Москва в интервью Zelenograd.ru рассказал генеральный директор Crocus Technology Жан-Люк Санти.

— Вы объявили о запуске производства. Но в микроэлектронике есть много разных стадий запуска. Что означает ваш «запуск» сейчас? Это производство заявленных 500 годных пластин в неделю или что-то другое?

— Сегодня был пока запуск препромышленных пластин. Но это означает, что мы полностью приняли оборудование, провели все необходимые тесты и запустили оборудование в том состоянии, в котором оно будет работать в промышленном производстве. До конца года мы планируем начать производство и отгрузку пластин для конечных потребителей.

— На производство в Москву вы привозите уже частично готовые пластины. Что именно вы делаете в Москве и что отдаёте потребителям?

— Очень важно понимать, что наша технология основана на КМОП-пластине, добавленная стоимость в которой относительно невысока. Основная добавленная стоимость состоит в том, что мы наносим на готовую КМОП-пластину магнитные слои — в этом и заключается наша технология. Процесс, который будет осуществляться на производстве в Москве, это нанесение магнитных слоёв, дальнейшее травление, нанесение дополнительных слоев для разводки контактов (interconnect layers). Мы планируем увеличивать производство в России как раз за счет увеличения количества переделов.

Нашим потребителям мы предоставляем целые пластины, но можем поставлять и нарезанные, протестированные и корпусированные чипы. Просто будем эту работу заказывать у других компаний. В Москве мощности для этих дополнительных работ мы вводить не планируем.

— Известно, что много производств, которые открывают иностранные компании в России, по сути представляют собой относительно простое «отверточное» производство. И делают это иногда для получения различных преференций, предоставляемых местным производителям, или для получения финансирования от государственных институтов развития. Почему вам понадобилось открывать микроэлектронное производство именно в России, что мешало сделать это в юго-восточной Азии, где, как говорят, условия получше?

— Нужно понимать, что в себестоимости пластин и чипов стоимость человеческого труда пренебрежимо мала. Поэтому такой аргумент, как более низкая стоимость труда в странах юго-восточной Азии здесь абсолютно не работает. Для нас в первую очередь было важно получить доступ к российскому рынку смарт-карт, SIM-карт, электронных документов, который мы оцениваем, как достаточно большой — это серьёзный аргумент. Существенную роль сыграла поддержка РОСНАНО, как сильного партнёра, который предоставил не только финансовые ресурсы, но и значительную поддержку в плане организации бизнеса в России, что помогло нам более эффективно и быстро запустить производство.

— Какую сумму вы вложили непосредственно в производственную площадку в Москве?

— В обустройство «чистых комнат» площадью 2500 кв.м. с классом чистоты 100 и в необходимое оборудование мы вложили 101 миллион евро. При этом общий бюджет проекта, включая стоимость вложенных технологий — 300 миллионов евро.

— Несколько лет назад вы предпринимали попытки организовать это производство в Зеленограде, где вроде бы есть всё необходимое. Почему не получилось в Зеленограде, но получилось в Москве?

— Основная проблема состояла в том, что для такого производство нужна гарантированная мощность 8 мегаватт — на тот момент в Зеленограде такой мощности не было. Поэтому в итоге мы выбрали площадку «Москвич», где необходимые мощности были.

Вообще, в момент одобрения проекта мы считали, что «чистую комнату» арендуем и нужно будет инвестировать только в оборудование. Мы обошли много российских регионов, но подходящие чистые помещение найти не смогли. В итоге остановились на Зеленограде, потому что здесь есть профильный вуз, а также возможность привлекать иностранных специалистов, которым комфортней жить в Москве.

В Зеленограде мы общались с «Микроном», «Ангстремом», Технопарком, Особой экономической зоной и уже тогда понимали, что концепция меняется — нам придётся строить «чистую комнату» самостоятельно. Было два варианта — либо строить greenfield, либо использовать готовое помещение с коммуникациями, в котором уже оборудовать чистые помещения. Однако перестройка предлагаемых помещений оказывалась дороже, чем строительство в «чистом поле».

В итоге, в силу недостатка электроэнергии, мы обратились к технополису «Москва», где нам предоставили помещения отличного качества со всеми необходимыми ресурсами, а также оказали существенную поддержку в других важных вопросах.

— Сколько человек сейчас работает на производстве в Москве и были  ли проблемы при поиске персонала?

— К концу года в штате российской компании будет 30 человек. Мы наняли молодых инженеров с профильным образованием, которые прошли годовую стажировку в Гренобле, обучаясь на оборудовании, похожим на установленное в Москве. Соответственно, к моменту завоза оборудования, у них был необходимый опыт и знания, чтобы начать производство.

— Вы объявили, что собираетесь вложить в России до 5 млн долларов в улучшение технологии. Не мало ли это на фоне общего бюджета проекта в 300 млн евро, ведь такая инновационная технология должна постоянно улучшаться — в R&D нужно вкладывать много?

— 5 миллионов далеко не весь бюджет на развитие технологии. Всё что сделано на существующей R&D площадке «Крокуса» в Гренобле, на крупном израильском фабе Tower, в американском R&D-центре IBM — всё было использовано, чтобы наладить производство в России и в дальнейшем улучшать эту технологию. 5 миллионов будет потрачено только в России, в частности с компанией «Кинтех», о сотрудничестве с которой мы уже объявили, а также и с другими партнёрами.

— Вы сказали, что к концу года будете готовы отгружать потребителям свою продукцию, а основные потребители — производители различных смарт-карт, промышленной автоматики и телекоммуникационного оборудования. Но есть ли уже эти потребители, есть ли контракты на поставку?

— Первый продукт, который будет здесь производиться, это отдельные (standalone) чипы магниторезистивной MRAM-памяти. Мы сделали выбор в пользу сотрудничества не с конкретными потребителями, а с дистрибьюторами. Сейчас уже на подписании контракт с крупнейшим в мире дистрибьютором микроэлектроники, канадской компанией Future Electronics, которая торгует электронными компонентами по всему миру.

— У вас в планах двукратное увеличение мощности, до 1000 пластин в неделю. Когда вы можете выйти на этот объем и какие потребуются инвестиции?

— Планы относятся к концу 2014 года и решение об этом будет принято в течение полугода. Бюджет на это увеличение будет не такой большой — основное оборудование уже позволяет производить нужный объем; достаточна и площадь «чистой комнаты». Останется лишь докупить несколько единиц ключевого оборудования, чтобы расшить узкие места.

Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в телеграмм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈