© наука.рф

Научная группа Алферовского университета совместно с АО «ОКБ-Планета» и ООО «Иоффе-ЛЕД» разработала и запатентовала первые в России фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона с расширенной чувствительностью до 2,65 микрон. Это почти вдвое превышает возможности существующих отечественных аналогов.

Новая технология основана на оптимизированном составе полупроводникового материала — арсенида индия-галлия (InGaAs). Увеличение доли индия в кристаллах позволило значительно расширить рабочий диапазон устройств. Ключевой проблемой при создании таких структур была высокая плотность дефектов, которую удалось решить с помощью уникального оборудования для выращивания полупроводников.

«Мы разработали технологию, которая позволяет создавать кристаллы InGaAs с рекордным содержанием индия. Это не только существенно расширяет рабочий диапазон детекторов, но и сохраняет их совместимость с существующими производственными процессами. Благодаря этому наши разработки могут быстро выйти на рынок и составить конкуренцию зарубежным аналогам», — пояснил заведующий лабораторией перспективных гетероструктур СВЧ микроэлектроники Алферовского университета Максим Соболев.

Разработка открывает перспективы для создания усовершенствованных систем ночного видения, способных работать в сложных метеоусловиях, а также высокочувствительных газовых анализаторов для мониторинга парниковых газов. Полученные фотодиоды по своим характеристикам соответствуют лучшим мировым аналогам, сообщается на сайте наука.рф.

Проект реализован при поддержке Российского научного фонда и Фонда содействия инновациям. На разработку получен патент № RU 235230 U1.

Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈